Продукція > ONSEMI > HUF76407D3ST
HUF76407D3ST

HUF76407D3ST onsemi


huf76407d3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76407D3ST onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF76407D3ST за ціною від 26.44 грн до 71.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF76407D3ST HUF76407D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76407d3s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF76407D3ST HUF76407D3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF76407D3S_D-2314318.pdf MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.68 грн
10+ 52.38 грн
100+ 39.29 грн
500+ 35.09 грн
1000+ 27.97 грн
2500+ 27.04 грн
5000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
HUF76407D3ST HUF76407D3ST Виробник : onsemi huf76407d3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.32 грн
10+ 56.26 грн
100+ 43.72 грн
500+ 34.77 грн
1000+ 28.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF76407D3ST Виробник : ONSEMI huf76407d3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 92mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
HUF76407D3ST HUF76407D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76407d3s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76407D3ST HUF76407D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76407d3s.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76407D3ST Виробник : ONSEMI huf76407d3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
On-state resistance: 92mΩ
товар відсутній