HUF76419D3ST Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF76419D3ST Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).
Інші пропозиції HUF76419D3ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF76419D3ST | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| HUF76419D3ST |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.