HUF76429D3S FAIRCHILD


HUF76429D3S.pdf
Виробник: FAIRCHILD
SOT-252
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76429D3S FAIRCHILD

Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HUF76429D3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF76429D3S HUF76429D3S Виробник : onsemi HUF76429D3S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76429D3S HUF76429D3S Виробник : onsemi / Fairchild HUF76429D3S.pdf MOSFETs 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.