HUF76629D3S Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 271+ | 73.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF76629D3S Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF76629D3S за ціною від 73.94 грн до 104.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HUF76629D3S | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HUF76629D3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
на замовлення 33795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| HUF76629D3S | Виробник : HARRIS |
HUF76629D3S |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| HUF76629D3S | Виробник : FAIRCHILD |
07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
HUF76629D3S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HUF76629D3S | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch |
товару немає в наявності |