HUF76629D3ST onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 80.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF76629D3ST onsemi
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції HUF76629D3ST за ціною від 75.64 грн до 183.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF76629D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UltraFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
HUF76629D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
HUF76629D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
HUF76629D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UltraFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
HUF76629D3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V |
на замовлення 17964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
HUF76629D3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch |
на замовлення 4155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
HUF76629D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
HUF76629D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| HUF76629D3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 52mΩ Gate-source voltage: ±16V Drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 150W кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| HUF76629D3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 52mΩ Gate-source voltage: ±16V Drain current: 20A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 150W |
товару немає в наявності |