Продукція > ONSEMI > HUF76629D3ST
HUF76629D3ST

HUF76629D3ST ONSEMI

2907455.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.58 грн
500+83.04 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76629D3ST ONSEMI

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції HUF76629D3ST за ціною від 75.25 грн до 260.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF76629D3ST HUF76629D3ST ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+177.58 грн
500+159.94 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST HUF76629D3ST ONSEMI 2907455.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.50 грн
10+159.17 грн
100+111.58 грн
500+83.04 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST HUF76629D3ST onsemi huf76629d3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.43 грн
10+156.33 грн
100+108.90 грн
500+83.20 грн
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST HUF76629D3ST onsemi huf76629d3s-d.pdf MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.91 грн
10+168.22 грн
100+101.97 грн
500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+177.58 грн
500+159.94 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST 2907455.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.50 грн
10+159.17 грн
100+111.58 грн
500+83.04 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.43 грн
10+156.33 грн
100+108.90 грн
500+83.20 грн
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: onsemi
MOSFETs 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.91 грн
10+168.22 грн
100+101.97 грн
500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.