HUF76639S3ST onsemi / Fairchild
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 164-173 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.57 грн |
10+ | 129.75 грн |
100+ | 94.8 грн |
500+ | 87.46 грн |
800+ | 68.76 грн |
2400+ | 64.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF76639S3ST onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF76639S3ST за ціною від 168.27 грн до 168.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUF76639S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
HUF76639S3ST Код товару: 176379 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
HUF76639S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||
HUF76639S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||
HUF76639S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
HUF76639S3ST | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товар відсутній |