Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA75307T3ST

HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor

Name: HUFA75307T3ST
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 12770516-3
Price: 22609.37 UAH
Availability: InStock

ONSM-S-A0003591148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1211+	18.67 грн

Мінімальне замовлення: 1211

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції HUFA75307T3ST

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
HUFA75307T3ST	Виробник : FAIRCHILD	07+ SOT-223	на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
HUFA75307T3ST	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HUFA75307T3ST	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
HUFA75307T3ST	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.