Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA75307T3ST
HUFA75307T3ST

HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003591148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1211+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1211 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HUFA75307T3ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUFA75307T3ST HUFA75307T3ST onsemi hufa75307t3st-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3ST HUFA75307T3ST onsemi hufa75307t3st-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3ST HUFA75307T3ST onsemi / Fairchild HUFA75307T3ST_D-2314343.pdf MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3ST hufa75307t3st-d.pdf
HUFA75307T3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3ST hufa75307t3st-d.pdf
HUFA75307T3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3ST HUFA75307T3ST_D-2314343.pdf
HUFA75307T3ST
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.