Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA75309P3
HUFA75309P3

HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor

FAIRS16089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 13174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1312+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 1312
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HUFA75309P3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA75309P3 HUFA75309P3 Виробник : onsemi HUFA75309P3,D3,D3S.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309P3 HUFA75309P3 Виробник : onsemi / Fairchild HUFA75309P3,D3,D3S.pdf FAIRS16089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.