Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA75332S3ST
HUFA75332S3ST

HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS19185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 44255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
634+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 634
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 145W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUFA75332S3ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA75332S3ST HUFA75332S3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUHUFA75332S3S-1192490.pdf MOSFET 55V 60a 0.019 Ohm N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.