HUFA75337S3ST Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V
на замовлення 10729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 392+ | 56.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUFA75337S3ST Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1775 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUFA75337S3ST за ціною від 67.18 грн до 67.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA75337S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUFA75337S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|