Продукція > FAIRCHILD > HUFA75339S3S

HUFA75339S3S FAIRCHILD


HUFA75339(G3,P3,S3S).pdf
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA75339S3S FAIRCHILD

Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HUFA75339S3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA75339S3S HUFA75339S3S Виробник : onsemi HUFA75339(G3,P3,S3S).pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.