Продукція > ONSEMI > HUFA75645S3S
HUFA75645S3S

HUFA75645S3S onsemi

hufa75645s3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+167.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA75645S3S onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції HUFA75645S3S за ціною від 148.40 грн до 355.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA75645S3S HUFA75645S3S Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS45983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3S HUFA75645S3S Виробник : onsemi / Fairchild HUFA75645S3S_D-2314503.pdf MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.43 грн
10+228.35 грн
100+172.79 грн
800+148.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3S HUFA75645S3S Виробник : onsemi hufa75645s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.07 грн
10+244.10 грн
100+175.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75645S3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS45983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hufa75645s3s-d.pdf 07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.