Продукція > ONSEMI > HUFA76407DK8T-F085
HUFA76407DK8T-F085

HUFA76407DK8T-F085 onsemi

huf76407dk_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA76407DK8T-F085 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HUFA76407DK8T-F085 за ціною від 51.43 грн до 163.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUFA76407DK8T-F085 HUFA76407DK8T-F085 onsemi huf76407dk_f085-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.56 грн
10+101.16 грн
100+69.18 грн
500+52.06 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 HUFA76407DK8T-F085 onsemi huf76407dk_f085-d.pdf MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 huf76407dk_f085-d.pdf
HUFA76407DK8T-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.56 грн
10+101.16 грн
100+69.18 грн
500+52.06 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76407DK8T-F085 huf76407dk_f085-d.pdf
HUFA76407DK8T-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V Dual N-Channel LogicLevel PwrMOSFET
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.