HUFA76409D3S

HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor


FAIRS16059-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
на замовлення 1222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1222+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1222
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA76409D3S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 49W (Tc).

Інші пропозиції HUFA76409D3S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA76409D3S Виробник : FAIRCHILD FAIRS16059-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUFA76409D3%2C%20HUFA76409D3ST.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3S HUFA76409D3S Виробник : onsemi HUFA76409D3%2C%20HUFA76409D3ST.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76409D3S HUFA76409D3S Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_hufa76409d3st-1191450.pdf MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.