Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > HUFA76429D3
HUFA76429D3

HUFA76429D3 onsemi / Fairchild

HUFA76429D3_D-3006591.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA76429D3 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HUFA76429D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUFA76429D3 HUFA76429D3 onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 HUFA76429D3 ONSEMI HUFA76429D3ST-F085-D.PDF Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3
HUFA76429D3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 HUFA76429D3ST-F085-D.PDF
HUFA76429D3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.