Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA76432S3ST
HUFA76432S3ST

HUFA76432S3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS16026-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
592+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 592
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA76432S3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції HUFA76432S3ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUFA76432S3ST Виробник : Fairchild FAIRS16026-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUFA76432P3%3B%20HUFA76432S3S%28T%29.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76432S3ST HUFA76432S3ST Виробник : onsemi HUFA76432P3%3B%20HUFA76432S3S%28T%29.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.