Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA76633S3ST
HUFA76633S3ST

HUFA76633S3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS16061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 17119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
275+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA76633S3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V, Power Dissipation (Max): 145W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUFA76633S3ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUFA76633S3ST HUFA76633S3ST onsemi HUFA76633P3%2CS3S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76633S3ST HUFA76633S3ST ON Semiconductor / Fairchild FAIRS16061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUFA76633P3%2CS3S.pdf MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76633S3ST HUFA76633P3%2CS3S.pdf
HUFA76633S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76633S3ST FAIRS16061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUFA76633P3%2CS3S.pdf
HUFA76633S3ST
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.