 
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 369.75 грн | 
| 10+ | 240.63 грн | 
| 100+ | 164.19 грн | 
| 500+ | 145.86 грн | 
| 800+ | 129.06 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUFA76645S3ST-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції HUFA76645S3ST-F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | HUFA76645S3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | на замовлення 58966400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |
|   | HUFA76645S3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | на замовлення 58966630 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |
|   | HUFA76645S3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | на замовлення 66400 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |
|   | HUFA76645S3ST-F085 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | |
|   | HUFA76645S3ST-F085 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності |