Технічний опис HYB25L512160AC-7.5 INFINEON
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 54-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TC), Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-FBGA (8x12), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 14ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 6 ns, Memory Organization: 32M x 16.
Інші пропозиції HYB25L512160AC-7.5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HYB25L512160AC-7.5 | Виробник : INFINEON |
 05+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HYB25L512160AC-7.5 | Виробник : SAMSUNG |
05+ |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
HYB25L512160AC-7.5 Код товару: 24045
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Пам'ять |
товару немає в наявності
|
|||
 |
HYB25L512160AC-7.5 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 54-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TC) Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x12) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 6 ns Memory Organization: 32M x 16 |
товару немає в наявності |