Продукція > HUAYI > HYG013N03LS1C2
HYG013N03LS1C2

HYG013N03LS1C2 HUAYI

THYG013n03ls1c2_0001.pdf
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C; HYG013N03LS1C2 HUAYI THYG013n03ls1c2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYG013N03LS1C2 HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C; HYG013N03LS1C2 HUAYI THYG013n03ls1c2, кількість в упаковці: 25 шт.

Інші пропозиції HYG013N03LS1C2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
HYG013N03LS1C2 Hangzhou Huayi Electronic N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG013N03LS1C2 Hangzhou Huayi Electronic Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG013N03LS1C2
Виробник: Hangzhou Huayi Electronic
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/150A PDFN8L(5x6) Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HYG013N03LS1C2
Виробник: Hangzhou Huayi Electronic
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.