Продукція > HUAYI > HYG053N10NS1P

HYG053N10NS1P HUAYI

Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C; HYG053N10NS1P HUAYI THYG053n10ns1p
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HYG053N10NS1P HUAYI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C; HYG053N10NS1P HUAYI THYG053n10ns1p.