Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUA170N10S5N031AUMA1

IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.92 грн
10+172.25 грн
100+121.87 грн
500+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUA170N10S5N031AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції IAUA170N10S5N031AUMA1 за ціною від 82.84 грн до 268.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUA170N10S5N031AUMA1 IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies infineon_iaua170n10s5n031_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+268.65 грн
10+135.03 грн
100+106.33 грн
500+88.06 грн
2000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 IAUA170N10S5N031AUMA1 INFINEON 4425934.pdf Description: INFINEON - IAUA170N10S5N031AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 IAUA170N10S5N031AUMA1 INFINEON 4425934.pdf Description: INFINEON - IAUA170N10S5N031AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 infineon_iaua170n10s5n031_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.65 грн
10+135.03 грн
100+106.33 грн
500+88.06 грн
2000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 4425934.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA170N10S5N031AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 4425934.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA170N10S5N031AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.