Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUA170N10S5N031AUMA1
IAUA170N10S5N031AUMA1

IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies

Infineon_IAUA170N10S5N031_DataSheet_v01_00_EN-2942407.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.43 грн
10+193.17 грн
100+120.85 грн
500+104.13 грн
1000+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUA170N10S5N031AUMA1 за ціною від 110.85 грн до 282.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUA170N10S5N031AUMA1 IAUA170N10S5N031AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.82 грн
10+183.20 грн
100+129.61 грн
500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaua170n10s5n031-datasheet-v01_00-en.pdf SP005423391
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 IAUA170N10S5N031AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.