Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUA180N08S5N026AUMA1
IAUA180N08S5N026AUMA1

IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.69 грн
10+167.48 грн
100+117.48 грн
500+98.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUA180N08S5N026AUMA1 за ціною від 83.07 грн до 285.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUA180N08S5N026AUMA1 IAUA180N08S5N026AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.30 грн
10+183.91 грн
100+111.79 грн
500+97.82 грн
1000+96.26 грн
2000+84.62 грн
4000+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaua180n08s5n026-datasheet-v01_00-en.pdf SP005423387
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 IAUA180N08S5N026AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5980 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.