Продукція > INFINEON > IAUA180N10S5N029AUMA1
IAUA180N10S5N029AUMA1

IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON

3999377.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+140.61 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 221W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF-5-4, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції IAUA180N10S5N029AUMA1 за ціною від 90.92 грн до 303.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.59 грн
10+185.09 грн
100+130.13 грн
500+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUA180N10S5N029_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.43 грн
10+194.53 грн
100+120.53 грн
500+101.49 грн
2000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON 3999377.pdf Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.43 грн
10+194.88 грн
100+140.61 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+292.59 грн
10+185.09 грн
100+130.13 грн
500+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon_IAUA180N10S5N029_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+303.43 грн
10+194.53 грн
100+120.53 грн
500+101.49 грн
2000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 3999377.pdf
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+303.43 грн
10+194.88 грн
100+140.61 грн
500+100.79 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.