IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 67.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUA200N04S5N010AUMA1 за ціною від 62.61 грн до 238.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 481913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 53837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор Код товару: 215193
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

