Продукція > Транзистори > IGBT > IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор

IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор

Код товару: 215193
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IAUA200N04S5N010AUMA1 транзистор за ціною від 66.96 грн до 235.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.57 грн
10+147.38 грн
100+102.27 грн
500+77.87 грн
1000+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUA200N04S5N010_DataSheet_v01_40_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf
IAUA200N04S5N010AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf
IAUA200N04S5N010AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.57 грн
10+147.38 грн
100+102.27 грн
500+77.87 грн
1000+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon_IAUA200N04S5N010_DataSheet_v01_40_EN.pdf
IAUA200N04S5N010AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.