
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
102+ | 119.51 грн |
128+ | 95.29 грн |
129+ | 94.48 грн |
500+ | 75.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUA200N04S5N010AUMA1 за ціною від 66.59 грн до 163.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 481913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 53837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 167W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 132nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IAUA200N04S5N010AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 800A Power dissipation: 167W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 132nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |