
IAUA250N04S6N006AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 149.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA250N04S6N006AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUA250N04S6N006AUMA1 за ціною від 113.04 грн до 370.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.64mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11064 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
IAUA250N04S6N006AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |