IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 93.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUA250N04S6N007EAUMA1 за ціною від 83.51 грн до 276.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 10779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9898 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 10164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N007EAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 380 A, 0.0007 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 10779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005596862 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-HSOF-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.83Ω Power dissipation: 192W Gate charge: 128nC Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.3kA Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IAUA250N04S6N007EAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-HSOF-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.83Ω Power dissipation: 192W Gate charge: 128nC Technology: OptiMOS™ 6 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.3kA Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A |
товару немає в наявності |