Продукція > INFINEON > IAUA250N04S6N008AUMA1
IAUA250N04S6N008AUMA1

IAUA250N04S6N008AUMA1 INFINEON

Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.64 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUA250N04S6N008AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 172W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUA250N04S6N008AUMA1 за ціною від 73.07 грн до 223.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.45 грн
10+137.42 грн
100+99.98 грн
500+78.93 грн
1000+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: INFINEON - IAUA250N04S6N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 340 A, 0.0008 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.54 грн
10+149.78 грн
100+106.64 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUA250N04S6N008_DataSheet_v01_00_EN-2948502.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.50 грн
10+151.88 грн
100+94.34 грн
500+80.55 грн
1000+75.47 грн
2000+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaua250n04s6n008-datasheet-v01_00-en.pdf SP005596860
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.