IAUAN04S7N004AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IAUAN04S7N004AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 115.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUAN04S7N004AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUAN04S7N004AUMA1 за ціною від 108.15 грн до 323.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive MOSFET |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUAN04S7N004AUMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta), 570A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.39mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 150µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N004AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Automotive MOSFET |
товару немає в наявності |