IAUAN04S7N005AUMA1

IAUAN04S7N005AUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUAN04S7N005-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f19068b361215 Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+88.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUAN04S7N005AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUAN04S7N005AUMA1 за ціною від 77.39 грн до 300.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 Виробник : INFINEON 4256784.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.28 грн
500+110.28 грн
1000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUAN04S7N005-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f19068b361215 Description: IAUAN04S7N005AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 455A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.51mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.63 грн
10+162.62 грн
100+126.91 грн
500+97.30 грн
1000+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUAN04S7N005_DataSheet_DataSheet_v01_00_-3450334.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.62 грн
10+171.59 грн
100+117.14 грн
500+98.31 грн
1000+92.04 грн
2000+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 Виробник : INFINEON 4256784.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.16 грн
10+196.85 грн
100+138.28 грн
500+110.28 грн
1000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.