Продукція > INFINEON > IAUAN04S7N006AUMA1
IAUAN04S7N006AUMA1

IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.73 грн
500+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUAN04S7N006AUMA1 за ціною від 82.40 грн до 229.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUAN04S7N006_DataSheet_DataSheet_v01_00_-3450107.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.57 грн
10+175.13 грн
100+121.39 грн
250+111.82 грн
500+101.52 грн
1000+87.55 грн
2000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 Виробник : INFINEON Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.43 грн
10+182.39 грн
100+147.73 грн
500+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IAUAN04S7N006AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.