IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUAN04S7N008AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.79 грн |
| 10+ | 118.37 грн |
| 100+ | 90.69 грн |
| 500+ | 69.05 грн |
| 1000+ | 67.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUAN04S7N008AUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUAN04S7N008AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 1901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IAUAN04S7N008AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IAUAN04S7N008AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUAN04S7N008AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IAUAN04S7N008AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUAN04S7N008AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)