Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC100N04S6N015ATMA1
IAUC100N04S6N015ATMA1

IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3da54121e Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.34 грн
10+ 79.03 грн
100+ 61.46 грн
500+ 48.89 грн
1000+ 39.82 грн
2000+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC100N04S6N015ATMA1 за ціною від 36.31 грн до 108.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC100N04S6N015_DataSheet_v01_00_EN-1840499.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.99 грн
10+ 86.1 грн
100+ 57.98 грн
500+ 49.76 грн
1000+ 38.16 грн
5000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3da54121e Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній