IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 152+ | 84.43 грн |
| 159+ | 80.50 грн |
| 195+ | 65.71 грн |
| 203+ | 60.90 грн |
| 500+ | 52.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6N015ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUC100N04S6N015ATMA1 за ціною від 34.32 грн до 149.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC100N04S6N015ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 10251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IAUC100N04S6N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC100N04S6N015ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |