Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC100N04S6N015ATMA1
IAUC100N04S6N015ATMA1

IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3da54121e
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies

Description: IAUC100N04S6N015ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC100N04S6N015ATMA1 за ціною від 36.63 грн до 137.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.58 грн
159+89.23 грн
195+72.84 грн
203+67.51 грн
500+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.34 грн
128+111.09 грн
165+86.22 грн
250+82.28 грн
500+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.78 грн
10+113.34 грн
25+111.09 грн
100+83.14 грн
250+76.19 грн
500+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3da54121e Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.93 грн
10+84.47 грн
100+56.89 грн
500+42.30 грн
1000+38.73 грн
2000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC100N04S6N015ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+93.58 грн
159+89.23 грн
195+72.84 грн
203+67.51 грн
500+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC100N04S6N015ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.34 грн
128+111.09 грн
165+86.22 грн
250+82.28 грн
500+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 infineon-iauc100n04s6n015-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC100N04S6N015ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.78 грн
10+113.34 грн
25+111.09 грн
100+83.14 грн
250+76.19 грн
500+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3da54121e
IAUC100N04S6N015ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC100N04S6N015ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.93 грн
10+84.47 грн
100+56.89 грн
500+42.30 грн
1000+38.73 грн
2000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N015ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N015-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IAUC100N04S6N015ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.