Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC100N08S5N031ATMA1
IAUC100N08S5N031ATMA1

IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.41 грн
10+134.35 грн
100+92.80 грн
500+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC100N08S5N031ATMA1 за ціною від 61.64 грн до 227.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.00 грн
10+145.09 грн
100+87.41 грн
500+72.58 грн
1000+71.90 грн
5000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc100n08s5n031-ds-v01_00-en.pdf N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5525 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 400A
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.