IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 100.68 грн |
| 500+ | 80.47 грн |
| 1000+ | 66.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUC100N08S5N043ATMA1 за ціною від 48.85 грн до 175.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 76A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IAUC100N08S5N043ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 76A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 |
товару немає в наявності |