Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC100N08S5N043ATMA1

IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+54.79 грн
10000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC100N08S5N043ATMA1 за ціною від 50.40 грн до 200.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC100N08S5N043_DS_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 11195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.82 грн
10+126.45 грн
100+74.71 грн
500+63.01 грн
1000+56.10 грн
2500+53.07 грн
5000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010 Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.61 грн
10+124.08 грн
100+84.61 грн
500+63.54 грн
1000+58.44 грн
2000+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon_IAUC100N08S5N043_DS_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 11195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.82 грн
10+126.45 грн
100+74.71 грн
500+63.01 грн
1000+56.10 грн
2500+53.07 грн
5000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 63µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+200.61 грн
10+124.08 грн
100+84.61 грн
500+63.54 грн
1000+58.44 грн
2000+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.