Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1

IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+136.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUC120N04S6L005ATMA1 за ціною від 80.15 грн до 223.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+154.38 грн
250+145.05 грн
1000+133.90 грн
3000+122.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.98 грн
50+154.38 грн
250+145.05 грн
1000+133.90 грн
3000+122.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+186.29 грн
75+163.68 грн
78+155.61 грн
100+132.92 грн
250+117.74 грн
500+105.28 грн
1000+99.26 грн
3000+93.23 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+188.35 грн
10+167.76 грн
25+160.32 грн
100+138.41 грн
250+123.06 грн
500+110.65 грн
1000+105.31 грн
3000+99.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6L005_DataSheet_v01_00_EN-1929625.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.84 грн
10+135.65 грн
100+115.69 грн
250+111.91 грн
500+93.76 грн
1000+89.98 грн
5000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.30 грн
10+139.33 грн
100+116.77 грн
500+87.45 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 187W
Pulsed drain current: 1550A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.