Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1

IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+137.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUC120N04S6L005ATMA1 за ціною від 78.88 грн до 219.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.93 грн
250+142.75 грн
1000+131.77 грн
3000+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+164.43 грн
10+146.45 грн
25+139.96 грн
100+120.83 грн
250+107.43 грн
500+96.59 грн
1000+91.93 грн
3000+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.14 грн
50+151.93 грн
250+142.75 грн
1000+131.77 грн
3000+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+187.65 грн
75+164.88 грн
78+156.74 грн
100+133.89 грн
250+118.60 грн
500+106.04 грн
1000+99.98 грн
3000+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6L005_DataSheet_v01_00_EN-1929625.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.49 грн
10+133.50 грн
100+113.85 грн
250+110.13 грн
500+92.27 грн
1000+88.55 грн
5000+78.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.75 грн
10+137.12 грн
100+114.92 грн
500+86.06 грн
1000+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 1550A
Power dissipation: 187W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: IAUC120N04S6L005ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 1550A
Power dissipation: 187W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.