IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUC120N04S6L005ATMA1 за ціною від 67.87 грн до 231.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IAUC120N04S6L005ATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IAUC120N04S6L005ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.66 грн |
| 10+ | 117.53 грн |
| 100+ | 93.04 грн |
| 500+ | 80.35 грн |
| 1000+ | 76.12 грн |
| 2500+ | 72.60 грн |
| 5000+ | 67.87 грн |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.54 грн |
| 10+ | 145.23 грн |
| 100+ | 101.04 грн |
| 500+ | 81.57 грн |
| IAUC120N04S6L005ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 107.83 грн |