Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1

IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+79.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUC120N04S6L005ATMA1 за ціною від 88.39 грн до 261.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+158.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.90 грн
10+181.61 грн
25+173.55 грн
100+149.83 грн
250+133.21 грн
500+119.78 грн
1000+114.00 грн
3000+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+216.07 грн
75+189.85 грн
78+180.48 грн
100+154.17 грн
250+136.56 грн
500+122.11 грн
1000+115.12 грн
3000+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.71 грн
10+164.70 грн
100+115.07 грн
500+88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6L005_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON 3180274.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+158.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.90 грн
10+181.61 грн
25+173.55 грн
100+149.83 грн
250+133.21 грн
500+119.78 грн
1000+114.00 грн
3000+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 infineon-iauc120n04s6l005-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+216.07 грн
75+189.85 грн
78+180.48 грн
100+154.17 грн
250+136.56 грн
500+122.11 грн
1000+115.12 грн
3000+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.71 грн
10+164.70 грн
100+115.07 грн
500+88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon_IAUC120N04S6L005_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 3180274.pdf
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 3180274.pdf
IAUC120N04S6L005ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.