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IAUC120N04S6N009ATMA1

IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IAUC120N04S6N009_DS_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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Технічний опис IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm.

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IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 15349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: OptiMOS-6
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 15349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab
IAUC120N04S6N009ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
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IAUC120N04S6N009ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 15349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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