Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1

IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies

Description: IAUC120N04S6N013ATMA1, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IAUC120N04S6N013ATMA1 за ціною від 38.06 грн до 151.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6N013_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.54 грн
10+75.95 грн
100+52.65 грн
500+46.59 грн
1000+43.98 грн
2500+43.06 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222 Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.45 грн
10+93.54 грн
100+63.51 грн
500+47.55 грн
1000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon_IAUC120N04S6N013_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.54 грн
10+75.95 грн
100+52.65 грн
500+46.59 грн
1000+43.98 грн
2500+43.06 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.45 грн
10+93.54 грн
100+63.51 грн
500+47.55 грн
1000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.