Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1

IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222 Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUC120N04S6N013ATMA1 за ціною від 45.96 грн до 146.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : INFINEON 2920455.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.70 грн
500+66.33 грн
1000+49.85 грн
5000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6n013-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+106.00 грн
164+74.71 грн
165+74.51 грн
200+70.47 грн
500+65.06 грн
1000+62.29 грн
2000+62.03 грн
5000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6N013_DataSheet_v01_00_EN-1840596.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.92 грн
10+91.31 грн
25+76.20 грн
100+61.46 грн
250+59.09 грн
500+51.99 грн
1000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222 Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.79 грн
10+97.98 грн
100+73.33 грн
500+56.50 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : INFINEON 2920455.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.46 грн
10+111.34 грн
100+84.70 грн
500+66.33 грн
1000+49.85 грн
5000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6n013-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6n013-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6n013-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.