Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1

IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUC120N04S6N013ATMA1 за ціною від 44.71 грн до 148.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies infineon-iauc120n04s6n013-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.58 грн
164+86.40 грн
165+86.16 грн
200+81.49 грн
500+75.24 грн
1000+72.03 грн
2000+71.73 грн
5000+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222 Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.01 грн
10+91.41 грн
100+62.07 грн
500+46.47 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC120N04S6N013_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 INFINEON 2920455.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 IAUC120N04S6N013ATMA1 INFINEON 2920455.pdf Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 infineon-iauc120n04s6n013-datasheet-v01_00-en.pdf
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+122.58 грн
164+86.40 грн
165+86.16 грн
200+81.49 грн
500+75.24 грн
1000+72.03 грн
2000+71.73 грн
5000+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6N013-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3ea611222
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
на замовлення 10164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.01 грн
10+91.41 грн
100+62.07 грн
500+46.47 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon_IAUC120N04S6N013_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 10632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 2920455.pdf
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N013ATMA1 2920455.pdf
IAUC120N04S6N013ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.