Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N06S5N011ATMA1
IAUC120N06S5N011ATMA1

IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC120N06S5N011ATMA1 за ціною від 93.46 грн до 258.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.36 грн
10+162.94 грн
100+113.86 грн
500+93.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc120n06s5n011-datasheet-v01_01-en.pdf Automotive Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N06S5N011_DataSheet_v01_01_EN-3106792.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.