Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC120N06S5N032ATMA1
IAUC120N06S5N032ATMA1

IAUC120N06S5N032ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC120N06S5N032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a8692a6a2df6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC120N06S5N032ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TDSON-8-34, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUC120N06S5N032ATMA1 за ціною від 34.09 грн до 147.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 Виробник : INFINEON 3999378.pdf Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.38 грн
500+40.26 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 Виробник : INFINEON 3999378.pdf Description: INFINEON - IAUC120N06S5N032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2660 µohm, TDSON-8-34, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON-8-34
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2660µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.28 грн
10+87.85 грн
100+59.38 грн
500+40.26 грн
1000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC120N06S5N032_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.54 грн
10+89.00 грн
100+52.08 грн
500+41.35 грн
1000+36.74 грн
5000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5N032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a8692a6a2df6 Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3446 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.47 грн
10+90.94 грн
100+61.41 грн
500+45.76 грн
1000+41.95 грн
2000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.