Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC24N10S5L300ATMA1
IAUC24N10S5L300ATMA1

IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC24N10S5L300ATMA1 за ціною від 22.46 грн до 104.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Description: MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.88 грн
10+63.09 грн
100+41.76 грн
500+30.61 грн
1000+26.50 грн
2000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC24N10S5L300_DataSheet_v01_00_EN-1901182.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.98 грн
10+64.35 грн
100+37.13 грн
500+29.19 грн
1000+26.46 грн
2500+24.88 грн
5000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc24n10s5l300-datasheet-v01_00-en.pdf Opti MOST-5 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 96A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.