Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC26N10S5L245ATMA1
IAUC26N10S5L245ATMA1

IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.26 грн
10+61.38 грн
100+40.67 грн
500+29.84 грн
1000+27.15 грн
2000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC26N10S5L245ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC26N10S5L245ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc26n10s5l245-datasheet-v01_01-en.pdf SP005423082
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202 IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1 IAUC26N10S5L245ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1 IAUC26N10S5L245ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC26N10S5L245_DataSheet_v01_01_EN-2486494.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.