Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IAUC28N08S5L230ATMA1

IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050
Код товару: 193844
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IAUC28N08S5L230ATMA1 за ціною від 18.57 грн до 109.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC28N08S5L230_DataSheet_v01_00_EN-1696489.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.17 грн
10+46.46 грн
100+29.14 грн
500+25.59 грн
1000+21.63 грн
2500+21.28 грн
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : INFINEON 3154646.pdf Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.53 грн
500+51.00 грн
1000+34.70 грн
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.40 грн
10+53.64 грн
100+35.38 грн
500+25.83 грн
1000+23.45 грн
2000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : INFINEON 3154646.pdf Description: INFINEON - IAUC28N08S5L230ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 28 A, 0.015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.53 грн
10+90.87 грн
100+66.53 грн
500+51.00 грн
1000+34.70 грн
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc28n08s5l230-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+92.33 грн
158+88.32 грн
166+84.33 грн
199+67.77 грн
250+59.56 грн
500+48.90 грн
1000+40.33 грн
3000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc28n08s5l230-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.94 грн
10+92.33 грн
25+88.32 грн
50+81.32 грн
100+62.75 грн
250+57.18 грн
500+48.90 грн
1000+40.33 грн
3000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 Description: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.