Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC40N08S5L140ATMA1
IAUC40N08S5L140ATMA1

IAUC40N08S5L140ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.07 грн
10+61.31 грн
100+40.59 грн
500+29.76 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC40N08S5L140ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC40N08S5L140ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC40N08S5L140ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc40n08s5l140-datasheet-v01_00-en.pdf SP005422123
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674 IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 IAUC40N08S5L140ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 IAUC40N08S5L140ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC40N08S5L140_DataSheet_v01_00_EN-3361636.pdf MOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.