Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC41N06S5N102ATMA1

IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC41N06S5N102ATMA1 за ціною від 20.16 грн до 98.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC41N06S5N102_DataSheet_v01_10_EN-2942440.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.94 грн
10+55.60 грн
100+32.77 грн
500+25.87 грн
1000+21.78 грн
5000+20.30 грн
10000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+59.71 грн
100+39.53 грн
500+28.96 грн
1000+26.33 грн
2000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon_IAUC41N06S5N102_DataSheet_v01_10_EN-2942440.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.94 грн
10+55.60 грн
100+32.77 грн
500+25.87 грн
1000+21.78 грн
5000+20.30 грн
10000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.32 грн
10+59.71 грн
100+39.53 грн
500+28.96 грн
1000+26.33 грн
2000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.