Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC41N06S5N102ATMA1
IAUC41N06S5N102ATMA1

IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.98 грн
10000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUC41N06S5N102ATMA1 за ціною від 18.14 грн до 94.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.02 грн
500+25.10 грн
1000+19.47 грн
5000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Description: INFINEON - IAUC41N06S5N102ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.56 грн
15+56.17 грн
100+38.02 грн
500+25.10 грн
1000+19.47 грн
5000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC41N06S5N102_DataSheet_v01_10_EN-2942440.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.27 грн
10+57.25 грн
100+33.74 грн
500+26.63 грн
1000+22.42 грн
5000+20.90 грн
10000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112.1 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.98 грн
10+57.37 грн
100+37.92 грн
500+27.73 грн
1000+25.20 грн
2000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 SP003244390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.