IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC45N04S6L063HATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 5200 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 41W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5200µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 41W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).