Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC50N08S5N102ATMA1
IAUC50N08S5N102ATMA1

IAUC50N08S5N102ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.89 грн
10+73.85 грн
100+49.38 грн
500+36.51 грн
1000+33.35 грн
2000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC50N08S5N102ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC50N08S5N102ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC50N08S5N102ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc50n08s5n102-datasheet-v01_01-en.pdf SP005423084
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208 IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1394 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC50N08S5N102_DataSheet_v01_01_EN-3361930.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.