Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N04S6L030HATMA1

IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
264+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 75W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUC60N04S6L030HATMA1 за ціною від 46.38 грн до 172.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUC60N04S6L030H_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 11763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.39 грн
10+97.27 грн
100+61.81 грн
500+50.68 грн
1000+49.97 грн
2500+49.41 грн
5000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.07 грн
10+106.44 грн
100+72.58 грн
500+54.53 грн
1000+50.16 грн
2000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon_IAUC60N04S6L030H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 11763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.39 грн
10+97.27 грн
100+61.81 грн
500+50.68 грн
1000+49.97 грн
2500+49.41 грн
5000+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2128pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.07 грн
10+106.44 грн
100+72.58 грн
500+54.53 грн
1000+50.16 грн
2000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.