Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.95 грн
10000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUC60N04S6L039ATMA1 за ціною від 20.54 грн до 88.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1109+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 1109
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.48 грн
500+29.25 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+65.32 грн
213+57.41 грн
255+47.78 грн
267+44.01 грн
500+33.69 грн
1000+26.95 грн
5000+25.99 грн
10000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.50 грн
10+52.53 грн
100+35.32 грн
500+26.06 грн
1000+22.35 грн
2000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.03 грн
15+54.46 грн
100+39.48 грн
500+29.25 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC60N04S6L039_DataSheet_v01_00_EN-1840537.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 8157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.05 грн
10+55.50 грн
100+35.34 грн
500+27.94 грн
1000+23.29 грн
5000+20.90 грн
10000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 IAUC60N04S6L039 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.