Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm.

Інші пропозиції IAUC60N04S6L039ATMA1 за ціною від 23.41 грн до 102.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
856+41.22 грн
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 856 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
856+41.22 грн
1000+38.01 грн
10000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 856 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.85 грн
14+57.45 грн
100+45.45 грн
500+37.15 грн
1000+29.40 грн
2000+27.06 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.85 грн
246+57.45 грн
311+45.45 грн
500+37.15 грн
1000+29.40 грн
2000+27.06 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.06 грн
10+61.33 грн
50+45.62 грн
100+38.04 грн
500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
856+41.22 грн
1000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 856 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
856+41.22 грн
1000+38.01 грн
10000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 856 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+93.85 грн
14+57.45 грн
100+45.45 грн
500+37.15 грн
1000+29.40 грн
2000+27.06 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 infineoniauc60n04s6l039datasheetv0100en.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
151+93.85 грн
246+57.45 грн
311+45.45 грн
500+37.15 грн
1000+29.40 грн
2000+27.06 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.06 грн
10+61.33 грн
50+45.62 грн
100+38.04 грн
500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 2920456.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 2920456.pdf
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4020 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4020µohm
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.